Непрерывный рост объемов трафика данных, связанный с распространением смартфонов, носимых устройств, а также систем виртуальной реальности и устройств Интернета вещей (IoT), связан с использованием все больших количеств высокоскоростных интерфейсов, которым обычно требуется защита от электростатических разрядов (ESD). Для решения этой задачи компания Toshiba Electronics Europe выпустила новые диоды для защиты от электростатических разрядов на основе технологического процесса для производства матриц защитных диодов (EAP-IV) 4-го поколения, в котором используется собственная технология изготовления диодов с накоплением заряда.
Непрерывный рост объемов трафика данных, связанный с распространением смартфонов, носимых устройств, а также систем виртуальной реальности и устройств Интернета вещей (IoT), связан с использованием все больших количеств высокоскоростных интерфейсов, которым обычно требуется защита от электростатических разрядов (ESD). Для решения этой задачи компания Toshiba Electronics Europe выпустила новые диоды для защиты от электростатических разрядов на основе технологического процесса для производства матриц защитных диодов (EAP-IV) 4-го поколения, в котором используется собственная технология изготовления диодов с накоплением заряда.
Устройства DF2B5M4SL, DF2B6M4SL, DF10G5M4N и DF10G6M4N обеспечивают защиту высокоскоростных интерфейсов, в том числе в системах с интерфейсами USB 3.1. Различные рабочие напряжения (3,6 и 5,5 В) и корпуса (SOD962 и DFN10) обеспечивают гибкость при реализации защиты от электростатических разрядов в различных проектах.
Благодаря новому технологическому процессу компании Toshiba эти четыре устройства сочетают низкую емкость, низкое динамическое сопротивление и высокую устойчивость к воздействию электростатических разрядов. Сверхнизкая емкость (0,2 пФ) гарантирует минимальное искажение сигнала при высокоскоростной передаче данных, а типовое динамическое сопротивление RDYN = 0,5 Ом обеспечивает низкие напряжения смещения. Устройства обеспечивают высокий уровень защиты: в соответствии с требованиями IEC61000-4-2 гарантирована защита от электростатических разрядов с напряжением не менее ±20 кВ.
Устройства DF2BxM4SL предназначены специально для монтажа на платах с высокой плотностью компонентов, поскольку корпус SOD-962 требует пространства размером всего 0,62 мм x 0,32 мм и может быть размещен рядом с ИС, требующими защиты от электростатических разрядов. В случае устройств типа DF10GxM4N корпус DFN10 может быть просто размещен сверху 4-разрядной шины. Такая сквозная конструкция позволяет упростить разводку шин на печатных платах, поскольку не требуются дополнительные отводы для подключения отдельных TVS-диодов.
