Более жесткая спецификация Vth позволяет снизить мертвое время в схемах полумостов, H-мостов и B6-мостов, а также повысить эффективность и снизить потери при синхронном переключении в параллельных схемах
Дюссельдорф, Германия, 08 декабря 2016 г. – Компания Toshiba Electronics Europe представляет новый МОП-транзистор на 100 В и 160 А с более узким диапазоном номинального порогового напряжения (Vth) по сравнению с предыдущими устройствами. Более строгая спецификация порогового напряжения очень важна в схемах коммутации. Минимальное и максимальное значение Vth для TK160F10N1L составляет 2,5 В / 3,5 В соответственно (по сравнению с 2 В / 4 В у его предшественников).
Новый МОП-транзистор идеально подходит для создания автомобильных силовых коммутирующих устройств. В таких системах более жесткая спецификация Vth позволяет снизить мертвое время в схемах полумостов, H-мостов и B6-мостов. Это достигается за счет уменьшения разницы максимального Vth между МОП-транзисторами верхнего и нижнего плеча.
В схемах с параллельным включением МОП-транзисторов более строгая спецификация позволяет улучшить характеристики синхронного переключения параллельно включенных МОП-транзисторов. В результате потери при переключении распределяются между МОП-транзисторами более равномерно. Если отдельный МОП-транзистор открывается раньше или закрывается позже, чем другие параллельные ему МОП-транзисторы, потери при переключении сосредотачиваются именно в этом МОП-транзисторе.
Для производства TK160F10N1L используется новейший технологический процесс изготовления полупроводниковых приборов компании Toshiba – UMOS VIII-H. Технологический процесс UMOS VIII-H обеспечивает превосходное подавление пульсаций при переключении и помогает снизить уровень электромагнитных помех. Области применения нового МОП-транзистора включают автомобильные электродвигатели в системах с напряжением питания 48 В, преобразователи постоянного тока и переключатели нагрузки.
TK160F10N1L выпускается в корпусе TO-220SM(W), имеет максимальное сопротивление в открытом состоянии (RDS(ON)) 2,4 мОм и будет соответствовать требованиям сертификации автомобильных компонентов AEC-Q101.
