Новые чипы будут выпускаться как 400 МГц, так и 333 МГц модификациях с напряжением питания 2.5 В. По заявлению представителей компании Samsung, переход на 90нм технологический процесс позволят повысить производство на 40 %.

Своему успешному развитию 90нм технологический процесс обязан применению литографического оборудования, которое использует коротковолновые (обычно 193 и 248 нм) источники света Argon Fluoride (ArF), новейших диэлектрических материалов Alumina Hafnium Oxide (AHO), а также уникальных разработок компании Samsung - трехмерных транзисторных схем Recessed Channel Array Transistor (RCAT).

По прогнозам научно-исследовательской фирмы Gartner Dataquest переход рынка DRAM с 256Mb на 512Mb будет происходить во второй половине этого года и в 2005 он должен достичь оборота в 13 MUSD.